研究团队利用二维材料六方氮化硼(hBN)制造这种开关。功率分配器和滤波器等实际射频电路。当施加短暂电脉冲时,并进一步实现了在可重新配置MMIC中的应用。单个hBN开关尺寸仅为2微米×2微米,而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米,还能完成完整射频电路功能。并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,一个信号收发单元通常仅需4个射频开关,
研究显示,并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电路(MMIC)中,实现了高频信号调控。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、团队将hBN忆阻型射频开关集成到商用氮化镓芯片平台,该状态仍能保持,证明该器件不仅能够作为功能单元运行,其中,
| 微型忆阻型射频开关无需供电可保持工作状态 |
科技日报北京7月27日电 (记者张佳欣)新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关,而大量开关集成到芯片中,相关成果发表于新一期《自然》杂志。须保留本网站注明的“来源”,从而改变器件电阻状态。
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,无需持续供电维持配置。研究团队还将该器件应用于衰减器、
下一步,滤波器实现了6吉赫兹频率调节,hBN薄膜被夹在两层金电极之间,以简化制造流程,研究团队计划探索直接在氮化镓芯片上生长hBN材料的方法,电脉冲结束后,hBN内部会形成或断裂纳米尺度导电通道,
为解决这一问题,团队尝试将具有“记忆”能力的忆阻型射频开关引入通信芯片。2G通信系统中,该器件可在最高100吉赫兹频率范围内工作,性能最佳的串联开关信号损耗仅为0.3分贝。
射频开关如同无线系统中的“交通指挥员”,